IPP06N03LA
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPP06N03LA |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 40µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO220-3 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (max) | 83W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2653 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPP06N |
IPP06N03LA Einzelheiten PDF [English] | IPP06N03LA PDF - EN.pdf |
IPP06N80C3 INFINEON
IPP070N06LG INF
VBSEMI TO-220
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
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IPP06CNE8NG INF
IPP06CNE8N IMFINEON
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2024/07/2
2024/07/11
2024/08/29
2024/08/24
IPP06N03LAInfineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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